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Vishay Siliconix SIHD4N80E-GE3
| Artikelnummer: | SIHD4N80E-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.76 |
| 10+ | $1.578 |
| 100+ | $1.2681 |
| 500+ | $1.0419 |
| 1000+ | $0.8633 |
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Vishay Siliconix SIHD4N80E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHD4N80E-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie E Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V Verlustleistung (max) 69W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 622 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) Grundproduktnummer SIHD4 SIHD4N80E-GE3 Einzelheiten PDF [English] SIHD4N80E-GE3 PDF - EN.pdf -
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